新冲破！我国在太空胜利验证第三代半导体资料

磅礴消息从中国迷信院微电子研讨所得悉，我国在太空胜利验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体资料无望牵引我国航天电源进级换代。功率器件是实现电能变更跟把持的中心，被誉为电力电子体系的心脏，是最为基本、最为普遍利用的器件之一。跟着硅（Si）基功率器件的机能迫近极限，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体资料，以禁带宽度年夜、击穿场强高、饱跟电子速率快等上风，可年夜幅进步空间电源的传输功率跟动力转换效力，简化散热装备，下降发射本钱或增添装载容量，功率-体积比进步近5倍，满意空间电源体系高能效、小型化跟轻量化需要。据悉，中国迷信院微电子研讨所刘新宇、汤益丹团队结合空间利用工程与技巧核心刘彦平易近团队研制的碳化硅（SiC）载荷于2024年11月15日搭乘天舟八号货运飞船飞向太空，开启了空间轨道迷信实验之旅。经由过程一个多月的在轨加电实验，SiC载荷测试数据畸形，高压400V SiC功率器件在轨实验与利用验证实现，在电源体系中静态、静态参数合乎预期。本次搭载的SiC载荷体系重要义务为国产自研高压抗辐射SiC功率器件（SiC二极管跟SiC MOSFET器件）的空间验证及其在航天电源中的利用验证、SiC功率器件综合辐射效应等迷信研讨，无望逐渐晋升航天数字电源功率，支持将来单电源模块到达千瓦级。本次搭载第一阶段义务现在已顺遂实现，实现了首款国产高压400V抗辐射SiC功率器件空间情况顺应性验证及其在电源体系中的在轨利用验证，标记着在以“克”为计量的空间载荷需要下，SiC功率器件将成为年夜幅晋升空间电源效力的优选计划，牵引空间电源体系的进级换代。刘新宇表现，中国自立研制胜利首款国产高压抗辐射SiC功率器件，并经由过程空间验证、实现其在电源体系中的在轨利用，这将为将来中国探月工程、载人登月、深空探测等范畴供给可供抉择的新一代功率器件。天下各国均在踊跃停止第三代半导体资料的策略安排，此中的重点即SiC。SiC已成为下一代功率器件竞争的制高点，其利用潜力不只在航天范畴，在高速列车、风力发电及智能电网等范畴，SiC也独具上风。