激励多手艺路线摸索，新闻称三星电子预备开发

IT之家 12 月 30 日新闻，韩媒 the bell 外地时光 26 日报道称，三星电子筹备启动采取惯例构造的 1e nm（IT之家注：即第 8 代 10 纳米级）制程 DRAM，实现进步内存开辟多轨化，为将来可能的贸易化供给更丰盛技巧贮备。联合三星后任存储器营业担任人李祯培往年 9 月展现的道路图跟《韩国经济日报》10 月的报道，三星电子原打算在 2026 年推出的 1d nm 内存后于 2027 年推出基于 4F2 VCT 翻新构造的 0a nm 内存。韩媒表现 1e nm DRAM 无望于 2028 年推出，若其终极走向贸易化则 4F2 VCT DRAM 的量产估计将至少延至 2029 年。▲ 三星 1b nm 制程 DDR5 内存4F2 VCT DRAM 的上风在于其 DRAM 单位更为玲珑，且能更无效应用垂直偏向空间，但这也象征着其出产流程将引入大批新技巧、新装备，将年夜幅晋升资源付出跟出产本钱；比拟之下连续传统构造的 1e nm DRAM 存在显明本钱上风。外部新闻人士表现，在阅历缩小 HBM 开辟团队范围招致未能在 HBM 市场盘踞有利位置的严重策略过错后，三星外部疏忽非重要产物技巧开辟的气氛已有很年夜改良，这一变更推进了 1e nm DRAM 等“备选技巧”的开展。告白申明：文内含有的对外跳转链接（包含不限于超链接、二维码、口令等情势），用于通报更多信息，节俭甄选时光，成果仅供参考，IT之家全部文章均包括本申明。 ]article_adlist--> 　　申明：新浪网独家稿件，未经受权制止转载。 -->